В России разработали самый высокоточный в мире прибор для ориентации космических аппаратов

Специалисты Института космических исследований РАН завершил разработку звездного датчика нового поколения БОКЗ-МР, необходимого для ориентации спутников. Об этом говорится в отчете института за 2021 год.

В России разработали самый высокоточный в мире прибор для ориентации космических аппаратов

«В 2021 году закончена разработка прибора звездной ориентации нового поколения БОКЗ- МР, которая длилась 7 лет. Первые летные образцы приборов поставлены в РКЦ «Прогресс» для комплектования КА ДЗЗ «Ресурс-ПМ». Достигнута главная цель разработки прибора – повышение точности угловых измерений на порядок. В результате достигнутые характеристики по точности измерения ориентации составляют 0.4 доли угловой секунды. В настоящий момент БОКЗ-МР при массе в 4 кг – наиболее высокоточный прибор в мире», – говорится в документе.

Разработчики отмечают, что по отношению к приборам предыдущего поколения БОКЗ-М60, используемых на космическом аппарате «Ресурс-П» в БОКЗ- МР улучшены технические характеристики в 5-10 раз практически по всем показателям: по частоте обновления информации, диапазону рабочих угловых скоростей и помехозащищенности.

Согласно отчету, уже изготовлено и поставлено российским предприятиям космической промышленности 20 приборов. БОКЗ-МР изготовлен полностью из отечественных комплектующих.

Спутники «Ресурс-ПМ» должны прийти на смену аппаратам серии «Ресурс-П». Аппараты «Ресурс-ПМ» должны будут иметь разрешение съемки в 0.4 м, в то время как у аппаратов «Ресурс-П» камера снимает с разрешением в 1 м. Первый такой аппарат должен быть запущен в 2023–2024 годах.

vestnik-glonass.ru

Источник: rlocman.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

7 − 1 =

Следующая запись

Ученые ИФП СО РАН вместе с белорусскими коллегами награждены премией имени академика Валентина Афанасьевича Коптюга

Премии удостоен цикл совместных работ «Мощные сверхвысокочастотные фотодиоды на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 для систем радиофотоники». С российской стороны награждены сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН: